磁懸浮熔煉原料與坩堝無接觸冶煉，干凈無污染。冶煉溫度高，溫度可達2500℃甚至以上，專門應用于高熔點難熔金屬，活潑金屬等冶煉提純。采用磁懸浮IGBT電源，配合自助研發(fā)的水冷分瓣銅坩堝，懸浮效果好。采用兩級分子泵控制系統(tǒng)真空度高。

　　對于合金制備來說，熔點和密度差異較大的材料熔煉工藝稍微復雜，常用的方法是制備中間合金。當原料為單質元素時，理想的熔煉工藝是低密度低熔點材料（Al）熔化后，高密度高熔點材料（Nb），同時進行充分溶解、合金化。

　　當合金元素較多時，操作工藝復雜，高密度高熔點材料容易下沉與水冷的銅坩堝底部接觸而無法熔化，導致無法準確配比合金成份。通過改變材料的幾何形狀，如棒、塊、片、粉料，使得高密度高熔點材料與電磁感應透入深度Δδ相匹配，控制不同材料的能量吸收過程。不同材料在歷經(jīng)熔化、溶解等過程后，完成合金化。例如制備Ni-Cr-Mo-W合金，Ni、Cr材料為小顆粒狀，不易吸收能量，Mo、W材料為片狀，易吸收能量，同時片狀材料的比表面積大，熔解效率高。若采用兩組不同頻率線圈的CCLM底注設備一步法制備鈦鉭合金，則原料為直徑50mm柱狀Ti材和球徑2-5mm顆粒狀Ta材。全懸浮熔煉過程中，不同比重的顆粒狀Ta和柱狀Ti均可懸浮，進行熔化、合金化。

　　除金屬材料外，氧化物晶體的制備常用半懸浮冷坩堝底注技術，冷坩堝玻璃固化裝置內(nèi)徑已達500mm。